IGBT RJP43F4A-TO-220F-1/3

Описание и технические характеристики IGBT RJP43F4A-TO-220F-1/3

Тип: IGBT транзистор
Корпус: TO-220F (изолированный)
Производитель: Renesas (ранее ROHM)

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C): 10 А (при 25°C) / 5 А (при 100°C)
• Ток импульсный (I_CM): 20 А
• Мощность рассеивания (P_D): 40 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 1,8 В (при I_C = 5 А)
• Скорость переключения: высокоскоростной (оптимизирован для инверторов и драйверов)
• Температура перехода: от -55°C до +150°C
• Встроенный диод: быстрый обратный диод (FRD)

Аналоги и совместимые модели:

• Парт-номер (Renesas/ROHM): RJP43F4A
• Эквиваленты от других производителей:
  • Infineon: IKW15N60T, IKW20N60T
  • STMicroelectronics: STGP10NC60KD, STGP10H60DF
  • Fairchild/ON Semi: FGP10N60SMD, FGA15N60
  • Toshiba: GT10Q301
• Аналоги в корпусе TO-220F:
  • IRG4PC50UD (International Rectifier)
  • HGTG10N60A4D (Fairchild)

Применение:

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Инверторы и драйверы двигателей
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочные аппараты
• Системы управления энергопотреблением

Если вам нужен точный аналог, рекомендуется проверить datasheet на соответствие параметрам, особенно по току, напряжению и встроенному диоду.