IGBT RJP63F3A

Описание IGBT RJP63F3A

RJP63F3A — это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в импульсных и силовых электронных схемах. Используется в инверторах, импульсных источниках питания, системах управления двигателями и других приложениях, требующих высокого напряжения и тока.

Отличается низкими потерями проводимости и переключения, высокой надежностью и устойчивостью к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT с диодом обратного хода (NPT) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Макс. ток коллектора (I_C) | 30 А | | Ток коллектора импульсный (I_CM) | 60 А | | Макс. напряжение затвора (V_GE) | ±20 В | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (при 15 А) | | Время включения (t_on) | ~35 нс | | Время выключения (t_off) | ~110 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.83 °C/Вт | | Корпус | TO-3P (TO-247) | | Диапазон рабочих температур | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (полные замены):

• RJP63F3 (упрощенная версия)
• RJP63F3DPP (версия с другим корпусом)
• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• H30R1202 (Fairchild/ON Semiconductor)
• STGW30H60DF (STMicroelectronics)

Частично совместимые модели (с проверкой параметров):

• FGA30N60 (Fairchild)
• IXGH30N60B (IXYS)
• GT30J321 (Toshiba)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Сварочное оборудование
• Управление электродвигателями

Примечание

Перед заменой рекомендуется проверить соответствие характеристик, особенно напряжение V_CES, ток I_C и параметры переключения.

Если нужны уточнения по конкретному аналогу или datasheet — сообщите!