IGBT RM100HA20F

Описание IGBT RM100HA20F

IGBT RM100HA20F – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных преобразователей, инверторов, сварочного оборудования, промышленных приводов и других силовых электронных устройств. Модуль сочетает высокую эффективность, низкие потери проводимости и переключения, а также хорошую тепловую стабильность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип IGBT | NPT (Non-Punch Through) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 200 В | | Номинальный ток коллектора (I_C) | 100 А (при 25°C) | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 200 А | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 300 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (при 50 А) | | Время включения (t_on) | 60 нс | | Время выключения (t_off) | 120 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) | | Встроенный диод | Да (быстрый обратный диод) |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные аналоги (RM-серия):

• RM100HA20FM (модифицированная версия)
• RM100HA24F (аналог с V_CES = 240 В)
• RM100HA30F (аналог с V_CES = 300 В)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon: IKW100N20T (200 В, 100 А, TO-247)
• STMicroelectronics: STGW100H20DF (200 В, 100 А, с диодом)
• Fuji Electric: 2MBI100VA-020 (IGBT-модуль, 200 В, 100 А)
• Mitsubishi: CM100DY-20F (200 В, 100 А, двойной IGBT)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные источники питания
• Электроприводы и сервоуправление
• Системы UPS (источники бесперебойного питания)

Если требуется более точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметрам и корпусу. Некоторые аналоги могут иметь отличия в динамических характеристиках.