IGBT RM10TA24

Описание IGBT RM10TA24

IGBT RM10TA24 – это изолированный биполярный транзистор с MOSFET-управлением (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных преобразовательных применений. Используется в инверторах, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании, ЧРП (частотно-регулируемых приводах) и других силовых электронных устройствах.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (V_CES)
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat))
• Быстрое переключение
• Встроенный свободно-колебательный диод (FRD)
• Изолированный корпус для удобного монтажа на радиатор

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|--------------------------|--------------------------------------|
| Тип транзистора | IGBT с FRD |
| Напряжение V_CES | 1200 В |
| Ток коллектора I_C | 10 А (при 25°C), 5 А (при 100°C) |
| Ток импульсный I_CM | 20 А |
| Напряжение V_CE(sat) | 2.4 В (при I_C = 10 А) |
| Рассеиваемая мощность P_D | 50 Вт (при 25°C) |
| Время включения t_d(on) | 30 нс (тип.) |
| Время выключения t_d(off) | 150 нс (тип.) |
| Температура перехода T_j | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (изолированный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• RM10TA24 (оригинал)
• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG10N120BND (Microsemi)
• STGW30H120DF (STMicroelectronics)

Совместимые модели (по характеристикам):

• 10A, 1200V IGBT в корпусе TO-247
• Схожие по параметрам:
  • IXGH10N120 (IXYS)
  • NGTB10N120FL2WG (ON Semiconductor)
  • APT10GP120J (Microchip)

Применение

• Инверторы и преобразователи частоты
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Системы управления двигателями

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet и условия работы в конкретной схеме, так как параметры могут незначительно отличаться.