IGBT RM30TPM-H

IGBT RM30TPM-H: Описание и Технические Характеристики

Описание:
IGBT RM30TPM-H – это изолированный биполярный транзистор с MOSFET-управлением (IGBT), предназначенный для высокоэффективного переключения в силовых электронных устройствах. Применяется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, импульсных источниках питания и других промышленных системах.

Основные Технические Характеристики:

| Параметр | Значение | |-------------------------|-----------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Максимальный ток коллектора (I_C) | 30 А (при 100°C) | | Пиковый ток (I_CM) | 60 А | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 150 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,8 В (при 15 А) | | Время включения (t_on) | 45 нс | | Время выключения (t_off) | 150 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (3-контактный) | | Изолированный монтаж | Да (с изолирующей прокладкой) |

Парт-номера и Совместимые Модели:

IGBT RM30TPM-H может быть заменён или взаимозаменяем со следующими аналогами:

• IRG4PH30UD (International Rectifier)
• FGA30N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG30N60A4D (Microsemi)
• STGW30NC60WD (STMicroelectronics)
• IXGH30N60B3D (IXYS)

Применение:

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Импульсные блоки питания

Если требуется точная замена, рекомендуется сверять datasheet на предмет соответствия электрических и тепловых параметров.

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!