IGBT RSN3306A

Описание IGBT RSN3306A

IGBT RSN3306A – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений, таких как:

• Инверторы и преобразователи частоты
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование
• Промышленные импульсные источники питания

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (VCES)
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat))
• Быстрое переключение и низкие динамические потери
• Встроенный обратный диод для защиты от перенапряжений
• Высокая температурная стабильность

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В |
| Ток коллектора (IC) при 25°C | 30 А |
| Ток коллектора (IC) при 100°C | 15 А |
| Пиковый ток (ICM) | 60 А |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 1.8 В (при IC=15A) |
| Мощность рассеивания (PD) | 150 Вт |
| Время включения (ton) | 50 нс |
| Время выключения (toff) | 150 нс |
| Корпус | TO-247 (или аналог) |
| Рабочая температура | -55°C … +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: IKW30N60T, IKW30N60H3
• STMicroelectronics: STGW30NC60WD, STGW30H60DF
• Fairchild (ON Semiconductor): FGA30N60SMD
• Mitsubishi: CM30DY-24H
• IR (Infineon): IRG4PC30UD

Похожие модели от других производителей:

• IXYS: IXGH30N60B3D1
• Toshiba: GT30J323

Примечание

Перед заменой рекомендуется уточнить распиновку и параметры, так как у аналогов могут быть отличия в характеристиках (например, встроенный диод, скорость переключения). Для точного подбора лучше использовать даташиты производителей.

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните запрос!