IGBT s52sha1

Описание IGBT S52SHA1

IGBT S52SHA1 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для использования в силовой электронике, инверторах, импульсных источниках питания, системах управления электродвигателями и других приложениях, требующих эффективного переключения высоких напряжений и токов.

Технические характеристики

• Тип: N-канальный IGBT
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 50 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): до 100 А
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): ~2.0 В (при номинальном токе)
• Рассеиваемая мощность (P_tot): ~200 Вт
• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C
• Скорость переключения: высокая (обычно в диапазоне 20–100 нс)
• Тип корпуса: TO-247 (возможны вариации)

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• S52SHA1 (оригинал)
• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA50N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG50N120B3D (Microsemi)
• IXGH50N120B3D (IXYS)

Совместимые модели (по характеристикам):

• IRGP50B120PD1 (Infineon)
• NGTB50N120FL2WG (ON Semiconductor)
• STGW50H120DF (STMicroelectronics)

Применение

• Инверторы (включая сварочные)
• Частотные преобразователи
• Импульсные источники питания
• Управление электродвигателями
• Системы возобновляемой энергетики (солнечные инверторы)

Если вам нужны дополнительные параметры (например, динамические характеристики, графики), уточните, и я предоставлю более детальную информацию.