IGBT S6BN55

Описание IGBT S6BN55

IGBT S6BN55 — это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в импульсных источниках питания, инверторах, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (VCES = 550 В)
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat) ~ 1.8 В)
• Быстрое переключение
• Встроенный диод обратного хода
• Изолированный корпус для удобства монтажа на радиатор

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|-----------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 550 В | | Ток коллектора (IC) при 25°C | 6 А | | Ток коллектора (IC) при 100°C | 3 А | | Пиковый ток (ICP) | 12 А | | Падение напряжения VCE(sat) | 1.8 В (тип.) | | Время включения (ton) | ~30 нс | | Время выключения (toff) | ~150 нс | | Затвор-эмиттерное напряжение (VGE) | ±20 В | | Рассеиваемая мощность (PD) | 50 Вт | | Корпус | TO-220F (изолированный) | | Рабочая температура | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены S6BN55:

• IRG4BC30U (International Rectifier)
• STGP6NC60HD (STMicroelectronics)
• HGTG6N60A4D (ON Semiconductor)
• FGA6N60 (Fairchild/ON Semi)
• IKW40N60T (Infineon)

Другие номера в серии S6B:

• S6BN50 (500 В, 6 А)
• S6BN60 (600 В, 6 А)

Применение

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Инверторы и частотные преобразователи
• Системы управления двигателями
• Сварочные аппараты

Если вам нужны более точные параметры или даташит, уточните производителя (например, Toshiba, Infineon или другой).