IGBT S6BR55

IGBT S6BR55: Описание и технические характеристики

Описание:
IGBT S6BR55 — это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для использования в силовых электронных устройствах, таких как инверторы, преобразователи частоты, сварочные аппараты и системы управления электродвигателями. Этот компонент обеспечивает высокую эффективность переключения, низкие потери проводимости и хорошую термостабильность.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |-----------------------------|-----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 55 А | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 35 А | | Импульсный ток (I_CM) | 110 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,8 В (при I_C = 55 А) | | Мощность рассеивания (P_D) | 200 Вт | | Время включения (t_on) | 45 нс | | Время выключения (t_off) | 150 нс | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) | | Рабочая температура | -40°C ... +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA60N65SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG30N60C3 (Microsemi)
• IXGH50N60B3 (IXYS)
• STGW60H65DFB (STMicroelectronics)

Рекомендуемые замены в зависимости от производителя:

• Infineon: IKW50N65H5
• Mitsubishi: CM75DY-24H
• Toshiba: GT50J325

Применение:

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Сварочное оборудование
• Системы управления электродвигателями
• Импульсные источники питания

Если вам нужна дополнительная информация, уточните параметры замены или условия эксплуатации.