IGBT SCM1101M

Описание IGBT SCM1101M

IGBT SCM1101M — это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений, таких как:

• Инверторы и преобразователи частоты
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование
• Промышленные и бытовые индукционные нагреватели

Ключевые особенности:

• Низкие потери проводимости и переключения
• Высокая стойкость к перегрузкам
• Встроенный быстрый диод для защиты от обратного напряжения
• Корпус, обеспечивающий хороший теплоотвод (например, TO-247 или аналогичный)

Технические характеристики

Параметр | Значение
---|--- Тип транзистора | IGBT с обратным диодом
Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В
Ток коллектора (I_C) при 25°C | 20–30 А (зависит от условий охлаждения)
Ток импульсный (I_CM) | До 60 А
Рассеиваемая мощность (P_tot) | ~150–200 Вт
Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В (макс.)
Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 4–6 В
Время включения (t_on) | 30–50 нс
Время выключения (t_off) | 100–200 нс
Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C
Корпус | TO-247 (возможны аналоги)

Парт-номера и аналоги

Прямые замены:

• SCM1101M (оригинальный номер)
• FGA25N120ANTD (Fairchild, 25A, 1200V)
• IRG4PH40UD (Infineon, 40A, 1200V)
• HGTG20N120BND (STMicroelectronics, 20A, 1200V)
• IXGH20N120B (IXYS, 20A, 1200V)

Совместимые модели (с проверкой распиновки и характеристик):

• IRGP20B120UD (International Rectifier)
• NGTB20N120LWG (ON Semiconductor)
• CM100DY-24NF (Mitsubishi, для модулей)

Примечания по замене

1. Проверяйте распиновку и характеристики перед заменой.
2. Обратите внимание на встроенный диод – у аналогов параметры диода могут отличаться.
3. Учитывайте тепловые режимы – при замене на более мощный IGBT может потребоваться доработка системы охлаждения.

Если у вас есть дополнительные вопросы или нужна помощь с подбором аналогов, уточните параметры вашей схемы.