IGBT SEMIX703GB126HDs

Описание IGBT модуля SEMIX703GB126HDs

SEMIX703GB126HDs – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с напряжением 1200 В и током до 700 А, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и промышленных источниках питания.

Модуль выполнен в корпусе SEMIX®, обеспечивающем высокую термостойкость и надежность. Включает встроенные диоды обратного хода (антипараллельные диоды), что позволяет использовать его в мостовых схемах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|----------------------------------|
| Тип модуля | IGBT + Диод |
| Максимальное напряжение (VCES) | 1200 В |
| Номинальный ток (IC @ 80°C) | 700 А |
| Пиковый ток (ICM) | 1400 А |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | ≤ 2,1 В (при 700 А) |
| Время включения (ton) | ~ 70 нс |
| Время выключения (toff) | ~ 300 нс |
| Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | ≤ 0,03 K/W |
| Корпус | SEMIX703 (изолированный) |
| Рабочая температура | -40°C … +150°C |

Парт-номера и совместимые аналоги

Оригинальные парт-номера:

• SEMIX703GB126HDs (полное обозначение производителя)
• SEMiX703GB126HDs (вариант написания)

Совместимые аналоги:

• Infineon: FF700R12IE4, FZ750R12KE3
• Mitsubishi (Hitachi): CM700DY-12NF
• Fuji Electric: 7MBI700VA-120-50
• SEMIKRON: SKM700GB126D

Применение

• Промышленные инверторы
• Преобразователи частоты
• Электроприводы
• Сварочные аппараты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если вам нужна дополнительная информация по замене или применению, уточните условия эксплуатации.