IGBT SK10GD123

IGBT-модуль SK10GD123: описание и технические характеристики

Общее описание

SK10GD123 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для силовой электроники, инверторов, частотных преобразователей и других устройств управления электродвигателями. Модуль сочетает в себе высокое напряжение, низкие потери и хорошую тепловую стабильность.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------|----------| | Тип модуля | IGBT с диодом (2 в 1) | | Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток коллектора (I_C) | 10 А | | Ток импульсный (I_CM) | 20 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,0 В (при I_C = 10 А) | | Время включения (t_on) | 40 нс | | Время выключения (t_off) | 150 нс | | Диод обратного восстановления (t_rr) | 100 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 1,25 °C/Вт | | Максимальная температура перехода (T_j) | 150 °C | | Корпус | Пластиковый, изолированный | | Монтаж | Винтовой (TH) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• SKM10GD123 (аналог от SEMIKRON)
• CM10DY-12H (Mitsubishi Electric)
• FF10R12YT3 (Infineon)
• NGD10H120F (ON Semiconductor)

Совместимые модели в схемах:

• SK5GD123 (нижний ток, 5 А)
• SK15GD123 (высший ток, 15 А)
• SK10GD124 (вариант с другим корпусом)

Применение

• Частотные преобразователи
• Управление двигателями
• Импульсные источники питания
• Сварочные инверторы

Если требуется точная замена, рекомендуется проверить электрические параметры и конструктивные особенности конкретной схемы.