IGBT SK25GB12T4

Описание IGBT SK25GB12T4

SK25GB12T4 – это IGBT-транзистор с диодом обратного хода (FRD), предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и систем управления электродвигателями. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими коммутационными потерями и устойчивостью к перегрузкам.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | IGBT с FRD |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 25 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 50 А |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~2,0 В (при 25 А) |
| Время включения (t_on) | ~35 нс |
| Время выключения (t_off) | ~150 нс |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный) |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0,5 °C/Вт |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные парт-номера

• SK25GB12T4 (полное обозначение производителя)
• SK25GB12T4-G (возможная модификация)

Совместимые модели (аналоги)

• Infineon: IKQ25N120T (1200 В, 25 А, TO-247)
• Fairchild (ON Semiconductor): FGA25N120ANTD (1200 В, 25 А)
• STMicroelectronics: STGW25NC120WD (1200 В, 25 А)
• Mitsubishi: CM75DY-12H (другой корпус, но близкие параметры)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочное оборудование
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если нужны дополнительные параметры (графики, точные данные по потерям), уточните!