IGBT SK55D12

Описание IGBT SK55D12

SK55D12 – это изолированный биполярный транзистор с MOSFET-затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокоточных силовых приложений. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, высокой температурной стабильностью и надежностью. Используется в инверторах, импульсных источниках питания, электроприводах и промышленных системах управления.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) (при 25°C) | 55 А | | Ток коллектора (I_C) (при 100°C) | 35 А | | Максимальный импульсный ток (I_CM) | 110 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2.2 В (при I_C = 55 А) | | Время включения (t_on) | 60 нс | | Время выключения (t_off) | 300 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.35 °C/Вт | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены SK55D12 (проверяйте распиновку и параметры перед заменой):

Прямые аналоги:

• Infineon: IKW55N120T2
• Fuji Electric: 2MBI100U2A-120
• Mitsubishi: CM75DY-24H

Близкие по характеристикам:

• STMicroelectronics: STGW55HF120S
• IXYS: IXGH55N120B3
• Toshiba: MG60100W1

Альтернативы с другими корпусами:

• SEMIKRON: SKM55GB12T4 (модуль IGBT + диод)
• ON Semiconductor: NGTB55N120FL3WG

Применение

• Частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями
• ИБП и солнечные инверторы

Перед заменой на аналог рекомендуется сверить datasheet и условия работы в конкретной схеме. Для точного подбора учитывайте параметры V_CES, I_C и тепловые характеристики.