IGBT SKB33/08

Описание IGBT SKB33/08

IGBT SKB33/08 – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовых электронных устройствах, таких как инверторы, частотные преобразователи, сварочное оборудование и системы управления электродвигателями. Модуль обладает высокой перегрузочной способностью, низкими потерями проводимости и переключения, а также хорошей термической стабильностью.

Технические характеристики

• Тип: IGBT модуль (N-канальный)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 800 В
• Ток коллектора (I_C): 33 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C): 20 А (при 100°C)
• Максимальный импульсный ток (I_CM): 66 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 200 Вт
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 2,0 В (при I_C = 33 А)
• Время включения (t_on): 80 нс
• Время выключения (t_off): 400 нс
• Температурный диапазон: -40°C … +150°C
• Корпус: модульный (изолированный)

Парт-номера и аналоги

Оригинальные парт-номера:

• SKB33/08 (Semikron)
• SKM33GB066D (возможный аналог от Semikron)

Совместимые модели и аналоги:

• Infineon: IKW30N60T
• Fuji Electric: 2MBI100L-060
• Mitsubishi: CM75DY-12H
• STMicroelectronics: STGW30NC60WD

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями
• ИБП (источники бесперебойного питания)

Если вам нужен точный аналог, рекомендуется сверять datasheet и параметры на соответствие в конкретной схеме.