IGBT SKD30/08

Описание IGBT SKD30/08

IGBT SKD30/08 – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в импульсных источниках питания, инверторах, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах. Модуль обладает высокой перегрузочной способностью, низкими потерями при переключении и хорошей температурной стабильностью.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Тип: IGBT (N-канальный)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 800 В
• Ток коллектора (I_C): 30 А (при 25°C)
• Импульсный ток (I_CM): до 60 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): ~200 Вт (с радиатором)
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): ~2,0 В (при номинальном токе)
• Время включения (t_on): ~50 нс
• Время выключения (t_off): ~200 нс
• Рабочая температура: -40°C … +150°C
• Корпус: TO-247 (возможны другие варианты)

Затвор:

• Пороговое напряжение (V_GE(th)): 4–6 В
• Максимальное напряжение затвор-эмиттер (V_GES): ±20 В

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PC40U (International Rectifier)
• HGTG30N60A4D (Fairchild/ON Semiconductor)
• FGA30N60 (Fairchild)
• STGW30NC60WD (STMicroelectronics)
• IXGH30N60B3D1 (IXYS)

Возможные альтернативы (с проверкой по datasheet):

• SKM30GB063D (Semikron, модульный вариант)
• MG300Q1US51 (Toshiba)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Управление электродвигателями

Если вам нужна точная замена, рекомендуется свериться с даташитами, так как параметры могут отличаться в зависимости от производителя.

Нужна дополнительная информация по конкретному применению?