IGBT SKD30/10

Описание IGBT SKD30/10

IGBT SKD30/10 – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике: инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими коммутационными потерями и хорошей термостабильностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1000 В | | Ток коллектора (I_C) | 30 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | 60 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 80 нс | | Время выключения (t_off) | 200 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.5 °C/Вт | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (возможны другие варианты) |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные и эквивалентные модели:

• SKD30/10 (оригинал)
• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA30N100 (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG30N100B3D (Microsemi)
• IXGH30N100 (IXYS)

Совместимые модули (для замены в схемах):

• SKM30GB10T (в составе модулей SEMIKRON)
• MG300Q1US41 (Mitsubishi)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы и UPS
• Сварочные аппараты
• Системы управления двигателями

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметрам схемы. Некоторые аналоги могут иметь отличия в характеристиках (например, V_CE(sat) или скорость переключения).

Нужна дополнительная информация? Готов уточнить!