IGBT SKD33/12

Описание и технические характеристики IGBT SKD33/12

Описание:
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) SKD33/12 – это мощный полупроводниковый прибор, предназначенный для коммутации высоких напряжений и токов в импульсных источниках питания, инверторах, частотных преобразователях и системах управления электродвигателями.

Основные характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный IGBT
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 33 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): до 66 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 200 Вт
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): ~2,0 В (при I_C = 33 А)
• Время включения (t_on): ~50 нс
• Время выключения (t_off): ~150 нс
• Корпус: TO-247 (возможны другие варианты)
• Диапазон рабочих температур: -40°C … +150°C

Парт-номера и совместимые модели:

Прямые аналоги и замены:

• SKM33GAL12T4 (Semikron)
• FGA33N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• IXGH33N120B3 (IXYS/Littelfuse)
• IRG4PC40UD (Infineon)
• APT33GR120J (Microsemi)

Совместимые модули (если SKD33/12 – часть сборки):

• SKM100GB12T4 (аналог в более мощном исполнении)
• FF300R12KE3 (Infineon, для инверторов)

Если вам нужны более точные данные (например, параметры диода обратного восстановления или графики характеристик), уточните производителя.