IGBT SKD83/12

Описание IGBT модуля SKD83/12

Тип: Высоковольтный IGBT-модуль с диодом обратного хода (встроенный антипараллельный диод)
Применение: Преобразователи частоты, импульсные источники питания, системы управления электродвигателями, индукционные нагреватели и другие силовые электронные устройства.
Конструкция: Модуль выполнен в стандартном корпусе, обеспечивающем хорошее охлаждение и удобство монтажа.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------|
| Макс. напряжение (V_CES) | 1200 В |
| Макс. ток коллектора (I_C) | 83 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 166 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | ~300 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~2.1 В |
| Время включения (t_on) | ~60 нс |
| Время выключения (t_off) | ~300 нс |
| Рабочая температура | -40°C…+150°C |
| Тип корпуса | Стандартный модуль (например, 62мм или аналогичный) |

Парт-номера и совместимые модели

Оригинальные парт-номера:

• SKD83/12 (Semikron)
• SKM83GB12T4 (возможный аналог от Semikron)

Аналоги и замены:

• Infineon: FF100R12KT4
• Mitsubishi: CM100DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI100U4A-120
• IXYS: MIXA120PH1200TC

Примечания

• Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики, так как у разных производителей могут быть отличия.
• Рекомендуется использовать оригинальные модули Semikron для критичных применений.

Если вам нужна более точная информация по конкретному производителю или схеме подключения, уточните детали.