IGBT SKDH100/12

Описание IGBT SKDH100/12

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) SKDH100/12 – это силовой полупроводниковый модуль, предназначенный для управления высокими напряжениями и токами в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других промышленных приложениях.

Модуль содержит IGBT-транзистор и антипараллельный диод, обеспечивающий обратный ток. Конструкция выполнена в стандартном корпусе, что упрощает установку на радиатор.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C при 25°C) | 100 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 200 А |
| Мощность рассеяния (P_tot) | 300 Вт |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 2.5 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 80 нс |
| Время выключения (t_off) | 200 нс |
| Температурный диапазон | -40°C до +150°C |
| Корпус | модуль с изолированным основанием |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• SKM100GB12T4 (Semikron)
• FF100R12KS4 (Infineon)
• CM100DY-12H (Mitsubishi)
• MG100Q1US41 (Littelfuse)

Совместимые модули в схожих корпусах:

• SKDH50/12 (на 50 А)
• SKDH150/12 (на 150 А)
• SKDH100/16 (1200 В → 1600 В)

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если требуется точный аналог, рекомендуется проверять datasheet на соответствие электрическим и тепловым параметрам.