IGBT SKKD205F06

Описание IGBT SKKD205F06

SKKD205F06 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для применения в мощных силовых электронных устройствах, таких как инверторы, частотные преобразователи, сварочное оборудование и системы управления электродвигателями. Этот модуль обеспечивает высокую эффективность, низкие потери при переключении и хорошую термостабильность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 205 А |
| Ток коллектора (импульсный, I_CM) | 410 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 625 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~2,1 В |
| Время включения (t_on) | ~100 нс |
| Время выключения (t_off) | ~300 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,15 °C/Вт |
| Рабочая температура (T_j) | -40°C ... +150°C |
| Корпус | модуль (изолированный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• SKM200GB066D (Semikron)
• CM200DY-24NF (Mitsubishi)
• FZ200R65KF6 (Infineon)
• MG200Q2YS60 (Toshiba)

Совместимые модели в линейке SKKD:

• SKKD150F06
• SKKD250F06
• SKKD300F06

Этот модуль может быть заменён аналогами с близкими характеристиками по напряжению и току, но перед заменой рекомендуется проверять схему включения и условия охлаждения.

Если вам нужны дополнительные параметры (например, графики зависимости тока от температуры или точные данные по потерям), уточните – помогу найти!