IGBT SKKT162/12E

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT SKKT162/12E
Описание IGBT модуля SKKT162/12E
SKKT162/12E – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Semikron, предназначенный для мощных инверторных и преобразовательных применений. Модуль содержит два IGBT-транзистора с антипараллельными диодами в полумостовой конфигурации (Half-Bridge). Применяется в промышленных приводах, сварочных инверторах, источниках бесперебойного питания (ИБП) и других силовых электронных системах.
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |---------------------------|-------------| | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | | Номинальный ток (IC при 25°C) | 162 А | | Пиковый ток (ICM) | 324 А | | Рассеиваемая мощность (Ptot) | 625 Вт | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2.1 В (тип.) | | Время включения (ton) | 85 нс | | Время выключения (toff) | 400 нс | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0.12 °C/Вт | | Диапазон рабочих температур | -40°C до +150°C | | Корпус | модуль с изолированным основанием (SEMiX) |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и замены от Semikron:
- SKM162/12E (аналогичный модуль в другом корпусе)
- SKM162GB12E (с улучшенными характеристиками)
- SKM200GB12E (более мощный аналог)
Аналоги от других производителей:
- Infineon: FF200R12KE3
- Mitsubishi: CM200DY-12NF
- Fuji Electric: 2MBI200U2A-120
Совместимые драйверы:
- Semikron SKHI22A
- CONCEPT 2SC0435T
- Infineon 2ED300C17
Применение
- Преобразователи частоты
- Сварочные инверторы
- ИБП и солнечные инверторы
- Управление электродвигателями
Модуль SKKT162/12E отличается высокой надежностью и эффективностью благодаря технологии Semikron. Для замены рекомендуется использовать модули с аналогичными параметрами (1200 В, ≥162 А).
Если нужна дополнительная информация по подключению или аналогам – уточните!