IGBT SKKT92B16E

Описание IGBT модуля SKKT92B16E

SKKT92B16E – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства компании Semikron, предназначенный для применения в мощных силовых электронных устройствах, таких как:

• Частотные преобразователи
• Инверторы
• Системы управления электродвигателями
• Промышленные источники питания
• Сварочное оборудование

Модуль выполнен в стандартном корпусе SEMIPACK 2 и содержит два IGBT-транзистора с антипараллельными диодами, что делает его пригодным для полумостовых и мостовых схем.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|--------------------------|--------------|
| Тип модуля | Два IGBT с антипараллельными диодами |
| Конфигурация | Полумост (Half-Bridge) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1600 В |
| Номинальный ток (I_C при 25°C) | 92 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 184 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 480 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,4 В (при I_C = 92 А) |
| Время включения (t_on) | 90 нс |
| Время выключения (t_off) | 400 нс |
| Корпус | SEMIPACK 2 |
| Температура хранения | от -40°C до +125°C |
| Рабочая температура (T_vj) | до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Semikron:

• SKM92GB16E (близкий аналог в другом корпусе)
• SKKT92B12E (1200 В, 92 А)
• SKKT106B16E (1600 В, 106 А)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF100R12KE3 (1200 В, 100 А)
• Mitsubishi: CM100DY-24H (1200 В, 100 А)
• Fuji Electric: 2MBI100U4B-160 (1600 В, 100 А)

Примечание по замене

При замене модуля необходимо учитывать:

• Напряжение и ток (V_CES, I_C)
• Тепловые характеристики
• Тип корпуса и расположение выводов
• Внутреннюю структуру (наличие диодов, конфигурацию)

Перед установкой рекомендуется проверять datasheet и схему подключения.

Если требуется точный эквивалент, лучше выбирать оригинальный SKKT92B16E или его прямые аналоги от Semikron.