IGBT SKM100GB101D

Описание и технические характеристики IGBT модуля SKM100GB101D

Производитель: Semikron (или другой, уточните, если производитель иной)
Тип: IGBT модуль с диодом обратного хода (NPT-IGBT)
Назначение: Применяется в преобразователях частоты, инверторах, сварочных аппаратах, системах управления электродвигателями.

Основные технические характеристики

Электрические параметры

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1000 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 100 А (при T_c=80°C)
• Пиковый ток (I_CM): 200 А
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): ~2,0 В (при 100 А)
• Открывающее напряжение диода (V_FM): ~1,7 В
• Время включения (t_on): ~50 нс
• Время выключения (t_off): ~300 нс

Термические параметры

• Максимальная рабочая температура: 150°C
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): ~0,25 К/Вт
• Корпус: модуль с изолированным основанием

Конструктивные особенности

• Количество IGBT в модуле: 1 (полумаост)
• Встроенный диод: Да (антипараллельный)
• Монтаж: винтовое крепление

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Semikron: SKM100GB063D (600V), SKM100GB128D (1200V)
• Infineon: FF100R12KT4
• Mitsubishi: CM100DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI100U4A-060

Cross-reference (альтернативные модели других производителей):

• Powerex (Mitsubishi): CM100DY-24H
• IXYS: IXGH100N60B3
• STMicroelectronics: STGW100H65DFB

Примечание

Перед заменой модуля необходимо уточнить распиновку и характеристики, так как даже при схожих параметрах могут быть отличия в работе схемы управления.

Если вам нужна более точная информация по аналогам или datasheet, уточните производителя и сферу применения.