IGBT skm100gb123d

Описание IGBT модуля SKM100GB123D

SKM100GB123D – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от SEMIKRON, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Модуль содержит два IGBT с антипараллельными диодами и используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Основные особенности:

• Высокая мощность и надежность
• Низкие потери проводимости и переключения
• Встроенные NTC-термисторы для контроля температуры
• Электрическая изоляция между кристаллами и основанием

Технические характеристики

Основные параметры:

• Максимальное коллектор-эмиттерное напряжение (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C @25°C): 100 А
• Импульсный ток коллектора (I_CM): 200 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 400 Вт (при T_case = 80°C)
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): 2,2 В (тип.)
• Время включения (t_on): 85 нс
• Время выключения (t_off): 400 нс
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,25 К/Вт

Встроенные диоды:

• Максимальное прямое напряжение (V_FM): 1,7 В
• Время восстановления (t_rr): 150 нс

Термоконтроль:

• Встроенный NTC-термистор (10 кОм при 25°C)

Механические характеристики:

• Корпус: модульный, изолированный
• Вес: ~150 г
• Монтаж: винтовое соединение

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги и парт-номера:

• SEMIKRON: SKM100GB12T4, SKM100GB128D
• Infineon: FF100R12KT4
• Mitsubishi: CM100DY-12S
• Fuji Electric: 2MBI100U-120

Совместимые модули (по характеристикам):

• SKM50GB123D (50 А, 1200 В)
• SKM150GB123D (150 А, 1200 В)
• SKM200GB12T4 (200 А, 1200 В)

Применение

• Промышленные инверторы
• Преобразователи частоты
• Системы управления двигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочные аппараты

Если требуется более точная замена, рекомендуется проверять даташит и параметры в конкретной схеме.