IGBT SKM100GB125DM

Описание и технические характеристики IGBT SKM100GB125DM

Описание:
IGBT-модуль SKM100GB125DM производства Semikron представляет собой двухключевой транзистор с обратным диодом (Half-Bridge), предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов, частотных приводов и других силовых электронных устройств.

Модуль обладает высокой перегрузочной способностью, низкими коммутационными потерями и высокой надежностью благодаря керамической изоляции основания.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |----------------------------------|-------------| | Тип модуля | Half-Bridge IGBT + Diode | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C при 25°C) | 100 А | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 200 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,85 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 45 нс | | Время выключения (t_off) | 350 нс | | Диод: прямое напряжение (V_F) | 1,7 В (тип.) | | Диод: время восстановления (t_rr) | 120 нс | | Диапазон рабочих температур | -40°C ... +150°C | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,25 °C/W | | Корпус | SEMiX 2 (изолированный) | | Вес | ~80 г |

Парт-номера и совместимые модели

Альтернативные парт-номера:

• SKM100GB125D (аналогичный модуль, возможны небольшие различия в характеристиках)
• SKM100GB12T4 (близкий аналог, 1200 В / 100 А)
• SKM75GB125D (меньший ток, 75 А)
• SKM150GB125D (больший ток, 150 А)

Совместимые модули от других производителей:

• Infineon: FF100R12RT4
• Mitsubishi: CM100DY-12NF
• Fuji Electric: 2MBI100U4A-120

Применение:

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Тяговые преобразователи
• Солнечные инверторы

Модуль SKM100GB125DM совместим с драйверами серии SKHI, 2SP0115T и другими стандартными драйверами IGBT.

Если требуется уточнение по аналогам или замена, лучше сверять datasheet конкретного модуля.