IGBT SKM100GB128D

Описание IGBT модуля SKM100GB128D

SKM100GB128D – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Semikron, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах и промышленных приводах. Модуль выполнен в стандартном корпусе SEMiX®, обеспечивающем хорошие тепловые и электрические характеристики.

Основные технические характеристики

Электрические параметры

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C @ 25°C): 100 А
• Максимальный импульсный ток (I_CM): 200 А
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 1,85 В (тип.)
• Время включения (t_on): 50 нс
• Время выключения (t_off): 300 нс
• Встроенный диод: Да (антипараллельный)
• Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)): 5,5 В

Тепловые параметры

• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,25 К/Вт

Механические параметры

• Корпус: SEMiX® 2
• Монтаж: винтовой
• Вес: ~100 г

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги Semikron:

• SKM100GB12T4 (аналог с улучшенными характеристиками)
• SKM75GB128D (75 А, 1200 В, тот же корпус)
• SKM150GB128D (150 А, 1200 В)

Совместимые модели других производителей:

• Infineon: FF100R12KT4
• Mitsubishi: CM100DY-24S
• Fuji Electric: 2MBI100L-120

Применение

• Промышленные инверторы
• Преобразователи частоты
• Системы управления двигателями
• Сварочное оборудование
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Модуль SKM100GB128D отличается высокой надежностью и подходит для замены в различных силовых схемах. При выборе аналога важно учитывать рабочие токи, напряжение и тепловые параметры.

Если вам нужна дополнительная информация по подключению или datasheet, уточните запрос.