IGBT SKM100GB12T4G

Описание IGBT модуля SKM100GB12T4G

SKM100GB12T4G – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Semikron, предназначенный для высокоэффективных силовых преобразовательных систем. Модуль выполнен в корпусе SEMiX® 2 Press-Fit и содержит два IGBT с антипараллельными диодами в полумостовой конфигурации (Half-Bridge).

Этот модуль широко применяется в:

• Частотных преобразователях
• Промышленных приводах
• Инверторах для возобновляемой энергетики
• Сварочном оборудовании
• Системах управления электродвигателями

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | Полумост (Half-Bridge) | | Материал корпуса | SEMiX® 2 Press-Fit | | Макс. напряжение (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 100 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | 200 А | | Мощность рассеивания | 330 Вт (при T_case = 80°C) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,85 В (тип.) | | Время включения/выключения (t_on/t_off) | 60 нс / 300 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Термическое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,25 K/Вт | | Встроенный диод | Да (антипараллельный) | | Вес | ~100 г |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги от Semikron:

• SKM100GB12T4 (устаревшая версия)
• SKM100GB128D (альтернативная серия)

Совместимые модули других производителей:

• Infineon: FF100R12KT4 (аналог по параметрам)
• Mitsubishi: CM100DY-12H (схожие характеристики)
• Fuji Electric: 2MBI100U2B-120

Другие парт-номера (зависит от партии):

• SKM100GB12T4G-ND (версия для дистрибьюторов)

Особенности и примечания

• Press-Fit технология – обеспечивает надежный монтаж без пайки.
• Низкие потери проводимости – высокая энергоэффективность.
• Оптимизированная конструкция – улучшенное охлаждение.

Модуль подходит для замены в схемах, где требуется полумостовая топология с напряжением 1200 В и током до 100 А.

Если нужна более точная информация по заменам или datasheet, уточните условия эксплуатации.