IGBT SKM150GAL123D

Описание IGBT модуля SKM150GAL123D

SKM150GAL123D – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Semikron, предназначенный для высоковольтных и силовых приложений, таких как промышленные инверторы, преобразователи частоты, сварочное оборудование и системы управления электродвигателями.

Модуль выполнен в стандартном корпусе SEMiX® 3, обеспечивающем хорошие тепловые и электрические характеристики, а также простоту монтажа.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Тип модуля: IGBT + диод (Half-Bridge)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C при 25°C): 150 А
• Ток коллектора (I_C при 80°C): 100 А
• Импульсный ток (I_CM): 300 А
• Мощность (P_tot): 625 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,5 В (типовое)
• Скорость переключения: высокая (оптимизирована для инверторных приложений)

Параметры встроенного диода:

• Обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Прямой ток (I_F): 150 А
• Падение напряжения (V_F): 1,7 В (типовое)

Тепловые характеристики:

• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,12 °C/Вт
• Диапазон рабочих температур (T_j): -40°C … +150°C

Механические параметры:

• Корпус: SEMiX® 3 (изолированный)
• Монтаж: винтовое крепление
• Вес: ~120 г

Парт-номера и совместимые модели

Альтернативные парт-номера (Semikron и аналоги):

• SKM150GB123D (аналог с другими характеристиками)
• SKM150GAR123D (близкий аналог)
• SKM150GAL123T (схожий модуль в другом корпусе)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon: FF150R12RT4
• Mitsubishi: CM150DY-12S
• Fuji Electric: 2MBI150U2A-120

Применение

• Частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями
• ИБП и солнечные инверторы

Примечание

Перед заменой модуля рекомендуется уточнять распиновку и характеристики, так как разные производители могут иметь отличия в конструкции.

Если нужны дополнительные данные (например, графики вольт-амперных характеристик), уточните!