IGBT SKM150GB124DE

Описание IGBT модуля SKM150GB124DE

SKM150GB124DE – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Semikron, предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и приводов. Модуль содержит два IGBT транзистора с антипараллельными диодами в полумостовой конфигурации (Half-Bridge).

Основные характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 150 А (при T_c = 80°C) |
| Импульсный ток (I_CM) | 300 А |
| Мощность (P_tot) | 600 Вт |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 2,1 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 65 нс |
| Время выключения (t_off) | 300 нс |
| Термическое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,12 К/Вт |
| Диапазон рабочих температур | -40°C ... +150°C |
| Корпус | SEMiX 2 Press-Fit |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги от Semikron:

• SKM150GB12T4 (аналогичные параметры, другой корпус)
• SKM150GB12V (с улучшенными динамическими характеристиками)
• SKM150GB128D (альтернативный вариант с близкими характеристиками)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF150R12RT4
• Mitsubishi: CM150DY-12S
• Fuji Electric: 2MBI150N-120

Применение

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочное оборудование
• Системы управления электродвигателями

Модуль SKM150GB124DE отличается высокой надежностью и эффективностью в мощных силовых приложениях.