IGBT SKM150GB126DE

Описание IGBT модуля SKM150GB126DE

SKM150GB126DE – это двухканальный (Dual) IGBT-модуль с диодом обратного хода (FWD) в корпусе SEMiX™ 3, разработанный компанией Semikron. Модуль предназначен для высоковольтных и сильноточных применений, таких как:

• Промышленные приводы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Инверторы и преобразователи
• Электромобили и зарядные станции
• Возобновляемая энергетика (солнечные инверторы, ветрогенераторы)

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT + Diode (Dual) |
| Корпус | SEMiX™ 3 |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C @ 25°C) | 150 А |
| Ток при 100°C | 95 А |
| Макс. импульсный ток (I_CP) | 300 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,7 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 38 нс |
| Время выключения (t_off) | 300 нс |
| Диод обратного хода (FWD) | Встроенный |
| Мощность рассеяния (P_tot) | 400 Вт |
| Температура хранения (T_stg) | -40°C … +125°C |
| Температура перехода (T_j) | -40°C … +150°C |
| Термическое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,12 К/Вт |

Совместимые / альтернативные модели и парт-номера

Прямые аналоги (Semikron):

• SKM150GB12T4 (аналог с улучшенными характеристиками)
• SKM150GB128D (схожий модуль с другой компоновкой)
• SKM200GB12T4 (более мощная версия, 200 А)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF200R12KT4 (200 А, 1200 В)
• Mitsubishi: CM150DY-12NF (150 А, 1200 В)
• Fuji Electric: 2MBI150N-120 (150 А, 1200 В)

Особенности применения

• Высокий КПД благодаря низкому V_CE(sat).
• Оптимизированная конструкция для снижения паразитных индуктивностей.
• Подходит для частотных преобразователей и мощных импульсных схем.

Если требуется замена, важно учитывать не только электрические параметры, но и конструктивные особенности (крепление, охлаждение, разводка выводов).

Для точного подбора аналога рекомендуется проверять спецификации на официальных сайтах производителей.