IGBT SKM150GB128D

Описание IGBT модуля SKM150GB128D

SKM150GB128D – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от компании SEMIKRON, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений, таких как:

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочное оборудование
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Системы возобновляемой энергетики

Модуль имеет двухключевую структуру (Half-Bridge), что позволяет использовать его в инверторах, выпрямителях и других силовых схемах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|--------------| | Тип модуля | IGBT Half-Bridge (2 в 1) | | Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C при 25°C) | 150 А | | Максимальный импульсный ток (I_CM) | 300 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 630 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,8 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 45 нс | | Время выключения (t_off) | 250 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,12 °C/Вт | | Диапазон рабочих температур | -40°C … +150°C | | Корпус | SEMiX 4 (изолированный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от SEMIKRON:

• SKM150GB12T4 (аналог с улучшенными параметрами)
• SKM150GB12T (более старая версия)
• SKM100GB128D (аналог на 100 А)
• SKM200GB128D (аналог на 200 А)

Аналоги от других производителей:

• Infineon FF150R12RT4
• Mitsubishi CM150DY-12S
• Fuji Electric 2MBI150U4A-120

Особенности и применение

• Встроенные диоды обратного хода (антипараллельные)
• Высокая перегрузочная способность
• Изолированный корпус для удобного монтажа на радиатор
• Низкие потери при переключении

Модуль SKM150GB128D подходит для замены в ремонте или модернизации силовых схем, где требуется высокая надежность и эффективность.

Если нужна дополнительная информация (datasheet, схемы подключения), уточните запрос!