IGBT SKM150GB128DN

Описание IGBT модуля SKM150GB128DN

SKM150GB128DN – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Semikron, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Модуль выполнен по технологии NPT (Non-Punch Through) и оснащен встроенным антипараллельным диодом. Основные сферы применения:

• Промышленные приводы
• Инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование
• Управление электродвигателями

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|--------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 150 А | | Ток коллектора (I_C) при 80°C | 100 А | | Импульсный ток (I_CM) | 300 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.1 В (при 75 А) | | Встроенный диод (FWD) | Да | | Ток диода (I_F) | 150 А | | Импульсный ток диода (I_FSM) | 300 А | | Падение напряжения диода (V_F) | 1.7 В (при 75 А) | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.12 °C/W | | Корпус | SEMiX 4 | | Вес | ~150 г |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Semikron:

• SKM150GB12T4 (аналог с улучшенными характеристиками)
• SKM150GB12V (версия с другим корпусом)
• SKM150GB12D (аналог с другим тепловым сопротивлением)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF150R12RT4
• Mitsubishi Electric: CM150DY-12S
• Fuji Electric: 2MBI150V-120

Примечания

• Модуль требует качественного теплоотвода из-за высокого тепловыделения.
• Рекомендуется использовать с драйверами, обеспечивающими достаточный ток затвора (например, SKHI 22 от Semikron).
• Перед заменой на аналог необходимо проверять распиновку и параметры.

Если нужны дополнительные данные (например, графики вольт-амперных характеристик или схемы подключения), уточните!