IGBT SKM150GB174D

Описание IGBT модуля SKM150GB174D

SKM150GB174D – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Semikron, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Модуль выполнен в корпусе SEMITRANS 2 и содержит два IGBT-транзистора с антипараллельными диодами в полумостовой конфигурации (Half-Bridge).

Основные области применения:

• Промышленные приводы
• Инверторы и преобразователи
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электропередача и распределение энергии

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|-------------| | Тип модуля | Half-Bridge (2 IGBT + 2 диода) | | Макс. напряжение (VCES) | 1700 В | | Ном. ток коллектора (IC) | 150 А | | Пиковый ток (ICM) | 300 А | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 3,0 В (при 150 А) | | Время включения (ton) | 120 нс | | Время выключения (toff) | 600 нс | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0,12 °C/W | | Рабочая температура (Tj) | -40°C ... +150°C | | Корпус | SEMITRANS 2 | | Вес | ~200 г |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные парт-номера Semikron:

• SKM150GB173D (аналог с другим напряжением, 1200 В)
• SKM150GB128D (аналог с меньшим током, 100 А)

Совместимые аналоги от других производителей:

• Infineon FF150R17ME4
• Mitsubishi Electric CM150DY-34H
• Fuji Electric 2MBI150U4A-170

Заключение

Модуль SKM150GB174D подходит для мощных преобразовательных систем благодаря высокому напряжению (1700 В) и току (150 А). При замене рекомендуется учитывать параметры корпуса, распиновку и тепловые характеристики.

Если нужен более точный подбор аналогов, уточните условия эксплуатации (частота переключения, охлаждение и т. д.).