IGBT SKM150GB175D

Описание IGBT модуля SKM150GB175D

SKM150GB175D – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от компании SEMIKRON, предназначенный для использования в высоковольтных инверторах, преобразователях частоты, сварочном оборудовании и промышленных приводах. Модуль содержит два IGBT транзистора с антипараллельными диодами в полумостовой (Half-Bridge) конфигурации.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | Полумост (Half-Bridge) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1700 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C при 25°C) | 150 А |
| Пиковый ток коллектора (I_CM) | 300 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 875 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,5 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 110 нс |
| Время выключения (t_off) | 500 нс |
| Корпус | SEMiX 4 (изолированный) |
| Рабочая температура (T_j) | -40°C ... +150°C |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,12 °C/Вт |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от SEMIKRON:

• SKM150GB176D (аналог с улучшенными характеристиками)
• SKM150GB128D (1700 В, 150 А, в другом корпусе)
• SKM150GB12T4 (аналог в корпусе SEMITRANS 3)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF150R17ME4 (1700 В, 150 А, Half-Bridge)
• Mitsubishi Electric: CM150DY-24H (1200 В, 150 А, но может использоваться в некоторых схемах с пониженным напряжением)
• Fuji Electric: 2MBI150U4A-170 (1700 В, 150 А, Half-Bridge)

Применение

• Силовые инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Тяговые системы (электромобили, поезда)
• Промышленные источники питания

Примечание

Перед заменой на аналог необходимо проверять распиновку и характеристики, так как корпусные исполнения могут отличаться.

Если нужны дополнительные параметры (например, емкости, индуктивности, графики зависимостей), уточните запрос.