IGBT SKM195GAL124DN

Описание IGBT модуля SKM195GAL124DN

Производитель: SEMIKRON (или другой, если уточните)
Тип: IGBT-модуль с диодом обратного хода (NPT-технология, возможно)
Назначение: Применяется в мощных инверторах, частотных преобразователях, системах управления электродвигателями, сварочном оборудовании и промышленных источниках питания.

Технические характеристики

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток (I_C при 25°C): 195 А
• Ток при 80°C: ~130–150 А (уточните в даташите)
• Максимальный импульсный ток (I_CM): ~390 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): ~600–800 Вт (зависит от условий охлаждения)
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): ~2.0–2.5 В (при номинальном токе)
• Время включения/выключения (t_on/t_off): ~50–100 нс
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): ~0.12–0.15 °C/Вт
• Корпус: Стандартный модуль с изолированным основанием (например, SEMiX или аналогичный)
• Рабочая температура: -40°C до +150°C (переход)

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от SEMIKRON:

• SKM195GB124DN (возможен вариант с другим током/напряжением)
• SKM200GB124D (200 А, 1200 В)
• SKM150GB124D (150 А, 1200 В)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF200R12KE3 (200 А, 1200 В)
• Mitsubishi Electric: CM200DY-12NF (200 А, 1200 В)
• Fuji Electric: 2MBI200U4A-120 (200 А, 1200 В)

Примечание: Замена требует проверки параметров, корпуса и характеристик управления.

Особенности и применение

• Встроенный антипараллельный диод для обратного тока.
• Изолированное основание для удобства монтажа на радиатор.
• Рекомендуется использовать с драйверами, поддерживающими высокие скорости переключения (например, SKHI22A).

Для точных данных: Проверьте официальный даташит SEMIKRON или другого производителя, так как параметры могут варьироваться.

Если нужны дополнительные параметры (структура модуля, графики BSOA и т. д.), уточните!