IGBT SKM195GAL124DN2

Описание IGBT модуля SKM195GAL124DN2

Производитель: SEMIKRON
Тип: IGBT-модуль с диодным обратным восстановлением (DUAL, 2 в 1)
Назначение: Используется в мощных преобразовательных устройствах, инверторах, частотных приводах, системах управления электродвигателями и источниках питания.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C @100°C): 195 А
• Импульсный ток (I_CM): 390 А
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot): 780 Вт
• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C

Параметры IGBT:

• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 1.85 В (тип.)
• Время включения (t_on): 42 нс
• Время выключения (t_off): 240 нс

Параметры диода:

• Прямое падение напряжения (V_F): 1.7 В (тип.)
• Время обратного восстановления (t_rr): 70 нс

Термические характеристики:

• Тепловое сопротивление переход-корпус (R_th(j-c)): 0.12 °C/Вт
• Крепление: Модуль с изолированным основанием (для монтажа на радиатор)

Габариты и корпус:

• Корпус: SEMiX 4 (124 мм × 62 мм × 30 мм)
• Вес: ~290 г

Парт-номера и совместимые модели

Альтернативные парт-номера:

• SEMIKRON: SKM195GB124DN2 (аналог с другими характеристиками)
• SKM195GAL124D (упрощенная версия)

Совместимые / аналогичные модули от других производителей:

• Infineon: FF1400R12IP4 (1400 В, 400 А)
• Mitsubishi: CM600DY-24A (1200 В, 600 А)
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-120 (1200 В, 200 А)

Примечание

Модуль SKM195GAL124DN2 относится к линейке SEMIKRON SEMiX, что обеспечивает высокую надежность и хорошее тепловыделение. При замене на аналог важно учитывать не только электрические параметры, но и конструктивное исполнение (крепление, изоляцию, разводку выводов).

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните!