IGBT SKM195GB066D

Описание IGBT модуля SKM195GB066D

SKM195GB066D – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Semikron, предназначенный для применения в мощных преобразователях частоты, инверторах, сварочном оборудовании и промышленных приводах. Модуль выполнен в корпусе SEMiX 4, имеет низкие потери проводимости и переключения, а также высокую надежность.

Основные особенности:

• Встроенные антипараллельные диоды (NPT-технология)
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии
• Высокая перегрузочная способность
• Гальваническая изоляция между кристаллами и основанием
• Оптимизированная конструкция для минимизации паразитных индуктивностей

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Тип модуля | IGBT + диод (2 в 1) |
| Конфигурация | Два IGBT + два диода |
| Макс. напряжение (VCES) | 600 В |
| Ном. ток (IC @ 25°C) | 195 А |
| Макс. ток (IC @ 80°C) | 130 А |
| Ток короткого замыкания| 390 А (1 мс) |
| Падение напряжения (VCE(sat)) | 1,75 В (тип.) при 195 А |
| Время включения (ton) | 50 нс |
| Время выключения (toff)| 300 нс |
| Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0,12 К/Вт (на IGBT) |
| Темп. эксплуатации (Tj)| -40°C до +150°C |
| Корпус | SEMiX 4 (изолированный) |
| Вес | ~100 г |

Парт-номера и совместимые модели

Альтернативные парт-номера Semikron:

• SKM195GB066D (основной номер)
• SKM195GB066 (упрощенное обозначение)

Аналоги и совместимые модели (от других производителей):

• Infineon: FF200R06KE3 (200 А, 600 В)
• Mitsubishi: CM200DY-24NF (200 А, 600 В)
• Fuji Electric: 2MBI200U6A-060 (200 А, 600 В)

Примечание: При замене на аналог необходимо учитывать различия в характеристиках, корпусе и схемотехнике.

Типовые применения

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электроприводы и системы управления двигателями

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните!