IGBT SKM195GB123D

Описание IGBT-модуля SKM195GB123D

SKM195GB123D – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Semikron, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Модуль содержит два IGBT и два антипараллельных диода, собранных в полумостовую (Half-Bridge) топологию. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | Half-Bridge (2x IGBT + 2x диода) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C при 25°C) | 195 А |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 390 А |
| Мощность (P_tot) | 750 Вт |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 2,1 В (тип.) |
| Время включения/выключения (t_on/t_off) | 55 нс / 320 нс |
| Температура хранения/работы | -40°C ... +150°C |
| Корпус | SEMiX 3 (изолированный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Semikron:

• SKM195GB12T4 (отличается версией корпуса)
• SKM200GB12T4 (близкий по характеристикам)
• SKM150GB12T4 (меньший ток, но совместимый корпус)

Аналоги от других производителей:

• Infineon FF200R12KE3 (200 А, 1200 В)
• Mitsubishi CM200DY-12NF (200 А, 1200 В)
• Fuji Electric 2MBI200U2A-120 (200 А, 1200 В)

Совместимые драйверы:

• SKHI22A (Semikron)
• CONCEPT 2SC0108T
• Infineon 2ED300C17

Применение

• Промышленные инверторы
• Системы управления двигателями
• Сварочные аппараты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Модуль SKM195GB123D отличается высокой надежностью и эффективностью в силовых преобразовательных системах. При замене рекомендуется проверять распиновку и тепловые характеристики.

Если нужны дополнительные данные (например, графики характеристик), уточните!