IGBT SKM195GB124D

Описание IGBT модуля SKM195GB124D

Производитель: Semikron (или другой, если уточнено)
Тип: IGBT-модуль с диодом обратного восстановления (встречно-параллельный диод)
Назначение: Мощные инверторы, частотные преобразователи, сварочное оборудование, промышленные приводы, системы возобновляемой энергии.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C при 25°C): 195 А
• Импульсный ток (I_CM): до 390 А
• Мощность рассеивания (P_tot): ~600 Вт (зависит от условий охлаждения)
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): ~2.1 В (при номинальном токе)
• Время включения/выключения (t_on/t_off): нс/мкс диапазон (уточнить в даташите)
• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C

Встроенный диод:

• Обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Прямой ток (I_F): до 195 А

Механические параметры:

• Корпус: модуль с изолированной базой (например, SEMiX или аналогичный)
• Монтаж: винтовое соединение, термопаста/радиатор

Парт-номера и аналоги

Прямые замены и аналоги:

• Semikron: SKM195GB12T4, SKM200GB124D (схожие параметры)
• Infineon: FF200R12KT4, FF300R12KE3 (возможна замена с проверкой параметров)
• Mitsubishi: CM200DY-12NF, CM300DY-12NF
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-120

Совместимые модели в линейке Semikron:

• SKM150GB124D (150 А)
• SKM200GB124D (200 А)
• SKM300GB124D (300 А)

Примечания:

1. Для точного подбора аналога проверяйте:
   • Напряжение и ток.
   • Конструкцию корпуса и расположение выводов.
   • Параметры встроенного диода.
2. Рекомендуется использовать оригинальный даташит (например, с сайта Semikron или производителя).

Если нужны дополнительные параметры (графики, динамические характеристики), уточните!