IGBT SKM195GB-124DN

Описание IGBT модуля SKM195GB-124DN

Производитель: Semikron (или другой, если указано иное)
Тип: IGBT-модуль с диодным обратным восстановлением (Dual / Half-Bridge, в зависимости от конфигурации)
Назначение: Преобразование энергии в промышленных инверторах, частотных приводах, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 195 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C) при 80°C: ~130 А (уточните по даташиту)
• Импульсный ток (I_CM): До 390 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): ~600 Вт (с теплоотводом)
• Класс изоляции: 2500 В (мин.)

Динамические характеристики:

• Время включения (t_d(on)): ~50 нс
• Время выключения (t_d(off)): ~200 нс
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): ~1.8 В (при номинальном токе)

Тепловые параметры:

• Термосопротивление (R_th(j-c)): 0.12 °C/Вт
• Диапазон рабочих температур: -40°C ... +150°C

Встроенные диоды:

• Обратное напряжение диода (V_RRM): 1200 В
• Прямой ток диода (I_F): 195 А

Парт-номера и аналоги

Оригинальные номера:

• SKM195GB-124DN (полное название)
• SKM195GB124DN (возможный вариант написания)

Совместимые / аналогичные модели:

• Semikron:
  • SKM200GB-124DN (ближайший аналог с повышенным током)
  • SKM150GB-124DN (с меньшим током)
• Infineon: FF200R12KE3 (аналог по току и напряжению)
• Mitsubishi: CM200DY-12NF (схожие параметры)
• Fuji: 2MBI200U2A-120 (альтернатива)

Примечания

1. Корпус: Стандартный модуль с изолированным основанием (например, SEMiX или аналогичный).
2. Монтаж: Рекомендуется использовать термопасту и затяжку с указанным моментом для оптимального теплоотвода.
3. Документация: Точные характеристики уточняйте в даташите Semikron (SKM195GB-124DN datasheet).

Если нужна помощь с подбором аналога для конкретного применения, укажите условия работы (частота, нагрузка, охлаждение).