IGBT SKM200GAL101D

Описание IGBT модуля SKM200GAL101D

SKM200GAL101D – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором) производства SEMIKRON, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Модуль имеет компактную конструкцию с изолированным основанием, что упрощает монтаж на радиатор. Применяется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и промышленных системах управления.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1000 В
• Ток коллектора (I_C): 200 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C): 120 А (при 80°C)
• Импульсный ток (I_CP): до 400 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 680 Вт

IGBT-часть:

• Падение напряжения (V_CE(sat)): 2,1 В (типовое)
• Время включения (t_on): 80 нс
• Время выключения (t_off): 350 нс

Диодная часть (встроенный обратный диод):

• Прямое напряжение (V_F): 1,7 В
• Время восстановления (t_rr): 120 нс

Термические параметры:

• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,12 °C/Вт
• Максимальная температура перехода (T_j): 150°C

Механические характеристики:

• Корпус: модуль с изолированным основанием
• Вес: ~120 г
• Монтаж: винтовое крепление

Парт-номера и аналоги

Оригинальные парт-номера SEMIKRON:

• SKM200GAL101D
• SKM200GB101D (альтернативная версия с другими параметрами)

Совместимые / аналогичные модели (от других производителей):

• Infineon: FF200R12KE3
• Mitsubishi (Mitsubishi Electric): CM200DY-12NF
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-120
• ON Semiconductor: NGTB25N120FL2WG (в другом форм-факторе)

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Промышленные приводы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электромобильные зарядные станции

Модуль SKM200GAL101D обеспечивает высокую надежность и эффективность в силовых электронных системах. При замене аналогами важно учитывать соответствие электрических и тепловых характеристик.

Если нужна дополнительная информация по подключению или замене – уточните детали!