IGBT SKM200GAL12E4

Описание и технические характеристики IGBT SKM200GAL12E4

SKM200GAL12E4 – это IGBT-модуль от компании SEMIKRON, предназначенный для мощных преобразовательных систем, промышленных приводов и инверторов. Модуль объединяет в одном корпусе IGBT-транзисторы с антипараллельными диодами, что обеспечивает высокую эффективность и надежность в силовых электронных схемах.

Основные характеристики:

• Напряжение коллектор-эмиттер (Vces): 1200 В
• Ток коллектора (Ic @25°C): 200 А
• Ток коллектора (Ic @80°C): 150 А
• Ток импульсный (Icm): 400 А
• Мощность рассеивания (Ptot): 750 Вт
• Напряжение насыщения (Vce(sat)): 2,1 В (тип.)
• Время включения (ton): 90 нс
• Время выключения (toff): 500 нс
• Тепловое сопротивление (Rth(j-c)): 0,12 K/Вт
• Диапазон температур: -40°C до +150°C
• Корпус: SEMiX 4 Press-Fit

Встроенные диоды:

• Обратное напряжение (Vr): 1200 В
• Прямой ток (If): 200 А
• Падение напряжения (Vf): 1,7 В

Парт-номера и альтернативные модели

Оригинальный номер:

• SKM200GAL12E4 (SEMIKRON)

Аналоги и совместимые модели:

• SKM200GB12E4 (SEMIKRON, с другой схемой подключения)
• CM200DY-12NF (Powerex / Mitsubishi)
• FZ200R12KE3 (Infineon)
• MG200Q2YS40 (Hitachi)

Замена с возможной переделкой схемы:

• FF200R12KE3 (Infineon, другой корпус)
• BSM200GB120DLC (Eupec / Infineon)

Применение:

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электроприводы и системы управления двигателями

Модуль SKM200GAL12E4 отличается высокой надежностью и подходит для жестких условий эксплуатации. При замене на аналог важно учитывать схему подключения и параметры управления.

Если нужно найти конкретный аналог или уточнить параметры – укажите, для какого оборудования требуется замена.