IGBT SKM200GB101D

Описание и технические характеристики IGBT SKM200GB101D

SKM200GB101D — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Semikron, предназначенный для мощных силовых преобразований в инверторах, частотных приводах, сварочном оборудовании и промышленных системах управления.

Модуль содержит IGBT и антипараллельный диод в одном корпусе, обеспечивая высокую эффективность и компактность конструкции.

Основные технические характеристики

Общие параметры

• Производитель: Semikron
• Тип модуля: IGBT + диод (DUAL)
• Корпус: SEMiX 2 Press-Fit
• Класс изоляции: 2500 V (UL certified)

IGBT Характеристики

• Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1000 V
• Номинальный ток коллектора (I_C @ T_c=80°C): 200 A
• Импульсный ток (I_CM): 400 A
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 1.85 V (тип.)
• Время включения (t_on): 55 нс
• Время выключения (t_off): 320 нс

Диодные характеристики

• Макс. обратное напряжение (V_RRM): 1000 V
• Номинальный прямой ток (I_F): 200 A
• Прямое падение напряжения (V_F): 1.7 V (тип.)

Тепловые параметры

• Макс. температура перехода (T_j): 150°C
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0.12 K/W (IGBT), 0.18 K/W (диод)

Механические характеристики

• Вес: ~130 г
• Монтаж: Press-Fit (подходит для безвинтового монтажа)

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены от Semikron:

• SKM200GB12T4 (1200V, 200A)
• SKM200GB063D (600V, 200A)
• SKM200GB128D (1200V, 200A)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF200R12KT4
• Mitsubishi: CM200DY-12NF
• Fuji Electric: 2MBI200U4A-060

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Системы возобновляемой энергетики (инверторы солнечных станций)
• Сварочное оборудование
• Тяговые преобразователи

Модуль SKM200GB101D отличается высокой надежностью и подходит для применения в жестких промышленных условиях.

Если нужна дополнительная информация (графики, datasheet), уточните запрос!