IGBT SKM200GB122D

Описание IGBT модуля SKM200GB122D

SKM200GB122D – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Semikron, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Модуль выполнен по технологии NPT (Non-Punch Through) и обладает низкими потерями проводимости и переключения.

Основные области применения:

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Системы управления электродвигателями
• Сварочное оборудование
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|---------|
| Максимальное напряжение (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C при 25°C) | 200 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 400 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В |
| Время включения (t_d(on)) | 90 нс |
| Время выключения (t_d(off)) | 350 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,12 °C/Вт |
| Корпус | SEMiX 4 |
| Рабочая температура | -40°C … +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги от Semikron:

• SKM200GB12T4 (аналог с улучшенными динамическими параметрами)
• SKM200GB12E4 (модификация с оптимизированными потерями)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon: FF200R12KE3
• Mitsubishi: CM200DY-12NF
• Fuji Electric: 2MBI200L-120

Cross-reference (альтернативы по параметрам):

• IXYS: MIXA200WB1200
• ON Semiconductor: NGTB25N120FL2WG (для менее мощных систем)

Заключение

Модуль SKM200GB122D – надежное решение для силовой электроники среднего и высокого уровней мощности. Рекомендуется проверять спецификации перед заменой на альтернативные модели, так как параметры могут отличаться.

Если нужны дополнительные данные (например, графики характеристик или рекомендации по драйверам), уточните запрос.