IGBT SKM200GB123DH2

Описание IGBT модуля SKM200GB123DH2

Производитель: SEMIKRON
Тип: IGBT-модуль с диодом обратного хода (Inverter Bridge)
Назначение: Мощные преобразователи частоты, инверторы, сварочное оборудование, промышленные приводы, системы управления электродвигателями.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 200 А (при T_c = 80°C)
• Ток короткого замыкания (I_SC): 400 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 625 Вт
• Температура перехода (T_j): -40°C … +150°C

IGBT-транзистор:

• Падение напряжения V_CE(sat): 1,8 В (при I_C = 200 А)
• Время включения (t_on): 80 нс
• Время выключения (t_off): 400 нс

Диод обратного хода (FWD):

• Прямое напряжение (V_FM): 1,7 В (при I_F = 200 А)
• Время восстановления (t_rr): 200 нс

Термические параметры:

• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,12 К/Вт
• Корпус: модуль с изолированным основанием

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены от SEMIKRON:

• SKM200GB124D (1200 В, 200 А, улучшенные параметры)
• SKM200GB12T4 (альтернативный вариант с другим корпусом)
• SKM200GB128D (с повышенной перегрузочной способностью)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon: FF200R12KE3 (аналог)
• Mitsubishi Electric: CM200DY-12NF (аналогичные характеристики)
• Fuji Electric: 2MBI200U2C-120 (схожие параметры)

Применение и особенности

• Высокая перегрузочная способность
• Изолированный корпус для удобного монтажа на радиатор
• Используется в мощных инверторах и частотных преобразователях

Если вам нужны более точные аналоги или уточнение параметров, укажите конкретное применение.