IGBT SKM200GB123DN

Описание IGBT SKM200GB123DN

SKM200GB123DN – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Semikron, предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов, частотных приводов и других силовых электронных устройств. Модуль содержит два IGBT с антипараллельными диодами в полумостовой (Half-Bridge) конфигурации.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | Half-Bridge (2 IGBT + 2 диода) | | Макс. напряжение (V_CES) | 1200 В | | Ном. ток коллектора (I_C при 25°C) | 200 А | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 400 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 750 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 60 нс | | Время выключения (t_off) | 340 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.12 °C/Вт | | Диапазон температур | -40°C ... +150°C | | Корпус | SEMiX 3 (изолированный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналогичные модули Semikron:

• SKM200GB12T4 (аналог с улучшенными параметрами)
• SKM200GB128DN (1200 В, 200 А, версия с другим креплением)
• SKM200GB12E4 (альтернативная серия)

Совместимые модели других производителей:

• Infineon FF200R12KT4 (1200 В, 200 А, Half-Bridge)
• Mitsubishi CM200DY-12NF (1200 В, 200 А, Dual)
• Fuji Electric 2MBI200U2A-120 (1200 В, 200 А)

Применение

• Частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• ИБП (UPS)
• Электроприводы
• Солнечные инверторы

Особенности

• Высокая перегрузочная способность
• Низкие динамические потери
• Встроенные NTC-термисторы для контроля температуры

Если требуется модуль с другими параметрами (например, на 600 В или в полномостовой конфигурации), можно рассмотреть аналоги из серий SKM100, SKM300 или SKM400.

Нужна дополнительная информация? Пиши!