IGBT SKM200GB125D

Описание IGBT модуля SKM200GB125D

SKM200GB125D — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Semikron, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений в преобразовательной технике, таких как:

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочное оборудование
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Модуль выполнен в стандартном корпусе SEMiX®, обеспечивающем хорошие тепловые и электрические характеристики.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C при T_c=80°C): 200 А
• Пиковый ток (I_CM): 400 А
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): 2,1 В (при 200 А)
• Время включения (t_on): 120 нс
• Время выключения (t_off): 500 нс
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,12 °C/Вт

Встроенный диод:

• Обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Прямой ток (I_F): 200 А
• Падение напряжения (V_F): 1,7 В

Температурный диапазон:

• Рабочая температура (T_j): от -40°C до +150°C
• Температура хранения: от -40°C до +125°C

Механические параметры:

• Корпус: SEMiX® 3 Press-Fit
• Вес: ~150 г
• Крепление: винтовое (M5)

Парт-номера и совместимые модели

Альтернативные номера Semikron:

• SKM200GB12T4 (аналог с улучшенными характеристиками)
• SKM200GB128D (схожий модуль с другим корпусом)

Совместимые модели других производителей:

• Infineon: FF200R12KE3
• Mitsubishi: CM200DY-12NF
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-120

Примечания по замене

При замене модуля SKM200GB125D на аналог необходимо учитывать:

• Рабочее напряжение и ток
• Тип корпуса и способ охлаждения
• Параметры встроенного диода

Для точной совместимости рекомендуется проверять документацию производителя.

Если нужны дополнительные данные (например, графики характеристик или схемы подключения), уточните!