IGBT SKM200GB125DE

Описание IGBT модуля SKM200GB125DE

SKM200GB125DE – это двухканальный IGBT-модуль с диодом обратного хода (антипараллельным диодом), разработанный для мощных преобразовательных и инверторных систем. Модуль обеспечивает высокую эффективность, низкие потери проводимости и переключения, а также надежную работу в жестких условиях.

Применяется в:

• Промышленных частотных преобразователях
• Сварочных инверторах
• ИБП (источниках бесперебойного питания)
• Электроприводах
• Системах возобновляемой энергетики

Технические характеристики

Основные параметры:

• Тип модуля: Двухканальный IGBT + диод (Half-Bridge)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 200 А (при 80°C)
• Ток импульсный (I_CM): 400 А
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,1 В (тип.)
• Скорость переключения: Высокая (оптимизирована для частот до 20 кГц)

Параметры диода:

• Обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Прямой ток (I_F): 200 А
• Падение напряжения (V_F): 1,7 В (тип.)

Тепловые характеристики:

• Корпус: Изолированный (baseless)
• Максимальная температура перехода (T_j): 150°C
• Термическое сопротивление (R_th(j-c)): 0,25 K/W

Механические параметры:

• Монтаж: Винтовое соединение
• Вес: ~150 г

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Semikron: SKM200GB12T4, SKM200GB128D
• Infineon: FF200R12KE3, FF200R12KT3
• Mitsubishi: CM200DY-12NF, CM200DY-12S
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-120

Замены с проверкой распиновки:

• IXYS: MIXA200WB1200T
• STMicroelectronics: STGW200NC120HD

Примечание

Перед заменой модуля необходимо уточнить распиновку, параметры управления затвором и тепловые характеристики, так как даже совместимые модели могут иметь отличия в динамических характеристиках.

Если требуется модуль с улучшенными параметрами, можно рассмотреть более современные аналоги, например, SKM300GB12T4 (300А, 1200В) или FF300R12KE3.

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните!