IGBT SKM200GB22D

Описание и технические характеристики IGBT модуля SKM200GB22D

Производитель: SEMIKRON
Тип: IGBT-модуль с диодом обратного восстановления (NPT-IGBT + FRD)
Конфигурация: Полумост (Half-Bridge)
Корпус: SEMiX 2 Press-Fit

Основные характеристики:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C при 25°C): 200 А
• Ток коллектора (I_C при 80°C): 140 А
• Импульсный ток коллектора (I_CM): 400 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 630 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,2 В (тип.)
• Время включения (t_on): 65 нс
• Время выключения (t_off): 400 нс
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,12 К/Вт
• Диапазон рабочих температур: -40°C ... +150°C
• Изоляция напряжения (V_iso): 2500 В (UL 1557)

Встроенный диод:

• Обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Прямой ток (I_F): 200 А
• Прямое падение напряжения (V_F): 1,7 В

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от SEMIKRON:

• SKM200GB12D (600 В, 200 А)
• SKM200GB128D (1200 В, 200 А, с NTC)
• SKM200GB17T4 (1700 В, 200 А)
• SKM300GB22D (1200 В, 300 А)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF200R12KT4, FF200R12KE3
• Mitsubishi: CM200DY-24S (1200 В, 200 А)
• Fuji Electric: 2MBI200VA-120-50
• ON Semiconductor: NXH200B120H3Q1

Применение:

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочное оборудование
• Системы управления электродвигателями
• Возобновляемая энергетика (солнечные инверторы)

Если требуется подбор аналога или уточнение параметров, укажите конкретные условия эксплуатации.