IGBT SKM200GB22D

Артикул: 300090
Требуется установка или ремонт?
тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT SKM200GB22D
Описание и технические характеристики IGBT модуля SKM200GB22D
Производитель: SEMIKRON
Тип: IGBT-модуль с диодом обратного восстановления (NPT-IGBT + FRD)
Конфигурация: Полумост (Half-Bridge)
Корпус: SEMiX 2 Press-Fit
Основные характеристики:
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1200 В
- Ток коллектора (IC при 25°C): 200 А
- Ток коллектора (IC при 80°C): 140 А
- Импульсный ток коллектора (ICM): 400 А
- Мощность рассеивания (Ptot): 630 Вт
- Напряжение насыщения (VCE(sat)): 2,2 В (тип.)
- Время включения (ton): 65 нс
- Время выключения (toff): 400 нс
- Тепловое сопротивление (Rth(j-c)): 0,12 К/Вт
- Диапазон рабочих температур: -40°C ... +150°C
- Изоляция напряжения (Viso): 2500 В (UL 1557)
Встроенный диод:
- Обратное напряжение (VRRM): 1200 В
- Прямой ток (IF): 200 А
- Прямое падение напряжения (VF): 1,7 В
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги от SEMIKRON:
- SKM200GB12D (600 В, 200 А)
- SKM200GB128D (1200 В, 200 А, с NTC)
- SKM200GB17T4 (1700 В, 200 А)
- SKM300GB22D (1200 В, 300 А)
Аналоги от других производителей:
- Infineon: FF200R12KT4, FF200R12KE3
- Mitsubishi: CM200DY-24S (1200 В, 200 А)
- Fuji Electric: 2MBI200VA-120-50
- ON Semiconductor: NXH200B120H3Q1
Применение:
- Промышленные инверторы
- Частотные преобразователи
- Сварочное оборудование
- Системы управления электродвигателями
- Возобновляемая энергетика (солнечные инверторы)
Если требуется подбор аналога или уточнение параметров, укажите конкретные условия эксплуатации.